Б
Б

Рис. 3 Еквівалентні схеми транзисторів у вигляді двох діодів( р-n – переходів) увімкнутих зустрічно.
Центральний шар біполярних транзисторів має назву „база”. Зовнішній лівий, який є джерелом носіїв заряду (електронів чи дірок) і, головним чином, створює струм приладу, називається „емітером”. Правий зовнішній шар, що приймає заряди від емітера, називається „колектором”.
На перехід емітер-база напруга
На рис.3 наведені еквівалентні схеми транзисторів у вигляді двох діодів
( р-n – переходів) увімкнутих зустрічно. З них видно, що така конструкція не те що не може забезпечувати підсилення електричного струму, а в загалі непрацездатна – струм від колектора до емітера протікати не може.
Підсилюючі властивості біполярного транзистора забезпечуються тим, що р-n – переходи в ньому не залежні, а взаємодіють один з одним, що, в свою чергу, забезпечується технологічними особливостями виконання тришарової структури, а саме:
1. емітер виконано з великою кількістю домішки – він має велику кількість вільних носіїв заряду;
2. база виконана тонкою і має деяку кількість основних носіїв заряду;
3. колектор – масивний і має кількість носіїв меншу, ніж емітер.
Напівпровідникові тріоди (транзистори) широко застосовуються в сучасній радіотехніці.
Реферати
- аэробное и анаэробное дыхание м/о
- съемка шкур мелкого рогатого скота
- клітковина
- придатна та дефектна продукція, види дефектів
- нормативное содержание соли в полукопченых колбасах
- основные показатели качества продуктов.
Читати далі